DISCO DURO SSD SAMSUNG 990 PRO 2TB M2 NVME PCIE 4.0 2280
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DISCO DURO SSD SAMSUNG 990 PRO 2TB M2 NVME PCIE 4.0 2280

179,10 â‚¬
Impuestos incluidos

Descubre el potente rendimiento con PCIe 4.0 y experimenta velocidades de vértigo para vencer al contrincante. La regulación térmica del controlador Samsung ofrece una alta eficiencia energética manteniendo el máximo rendimiento y altas velocidades.

Fuera de stock
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  • Política de seguridad
    Política de seguridad Pago 100% con Revolut payment o PayPal encriptado con SSL
  • Política de entrega
    Política de entrega Entregas en 48hrs hábiles
  • Política de devolución
    Política de devolución Devolución de hasta 30 días (Consultar condiciones)
Descripción

Características:

  • Potente SSD Interno PCIe 4.0 NVMeTM para tareas exigentes como el procesamiento de vídeo en 4K y gráficos en 3D, así como para juegos de alta exigencia.
  • Velocidad de vértigo: velocidades de lectura/escritura de hasta 7450/6900 MB/s.
  • Alta fiabilidad gracias a la tecnología Heat Spreader y Dynamic Thermal Guard del SSD para proteger frente al sobrecalentamiento y hasta 1.200 TBW
  • El software gratuito Samsung Magician optimiza el rendimiento y siempre mantiene la unidad al día con actualizaciones.

Especificaciones

  • Características generales
  • Aplicación Client PCs, Game Consoles
  • Capacidad 2,000GB (1GB=1 Billion byte by IDEMA) * Actual usable capacity may be less (due to formatting, partitioning, operating system, applications or otherwise)
  • Formato M.2 (2280)
  • Interfaz PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
  • Dimensiones 80 x 22 x 2.3 mm
  • Peso Max 9.0g Weight
  • Memoria de almacenamiento Samsung V-NAND 3-bit MLC
  • Controller Samsung in-house Controller
  • Memoria caché Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
  • Características especiales
  • Soporte TRIM Supported
  • Soporte S.M.A.R.T Supported
  • GC (Garbage Collection) Auto Garbage Collection Algorithm
  • Encriptación AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
  • WWN Not supported
  • Soporte Modo Suspensión en dispositivo Sí
  • Lectura secuencial Up to 7,450 MB/s * Performance may vary based on system hardware & configuration
  • Escritura secuencial Up to 6,900 MB/s * Performance may vary based on system hardware & configuration
  • Lectura aleatoria (4KB, QD32) Up to 1,400,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration
  • Escritura aleatoria (4KB, QD32) Up to 1,550,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration
  • Lectura aleatoria (4KB, QD1) Up to 22,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration
  • Escritura aleatoria (4KB, QD1) Up to 80,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration
  • Consumo energético medio *Average: 5.5 W*Maximum: 8.5 W (Burst mode)* Actual power consumption may vary depending on system hardware & configuration
  • Consumo energético (Idle) Max. 55 mW * Actual power consumption may vary depending on system hardware & configuration
  • Voltaje soportado 3.3 V ± 5 % Allowable voltage
  • Durabilidad (MTBF) 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
  • Temperatura 0 - 70 ? Operating Temperature
  • Golpes 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)
Detalles del producto
SAMSUNG
MZ-V9P2T0BW
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